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End	BAS70(5) DBAS70(2) MBAS70(1) SBAS70(1)
Incluido	BAS70(52) BAS70-(22) BAS70B(5) BAS70D(3) BAS70L(6) BAS70T(1)

Fabricante Electrónico

BAS70 Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	BAS70	61Kb/8P	Schottky barrier double diodes 1999 Jun 01
Vishay Siliconix	BAS70	56Kb/4P	Surface Mount Schottky Barrier Diodes 01-Apr-99
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	187Kb/4P	225mW SMD Switching Diode
Diodes Incorporated	BAS70	123Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Diodes Incorporated	BAS70	52Kb/1P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE DS11007 Rev. L-2
General Semiconductor	BAS70	51Kb/2P	Schottky Diodes
Microsemi Corporation	BAS70	122Kb/2P	SCHOTTKY array??SERIES
Infineon Technologies A...	BAS70	553Kb/12P	Silicon Schottky Diode Feb-03-2003
Infineon Technologies A...	BAS70	470Kb/4P	HiRel Silicon Schottky Diode 1998
Microsemi Corporation	BAS70	131Kb/2P	SCHOTTKYarray SERIES
Infineon Technologies A...	BAS70	1Mb/24P	Silicon Schottky Diode 2014-02-13
Diodes Incorporated	BAS70	278Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE DS11007 Rev. 19 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	114Kb/2P	200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode
NXP Semiconductors	BAS70	137Kb/20P	General-purpose Schottky diodes Rev. 08-4 May 2006
Infineon Technologies A...	BAS70	271Kb/23P	Silicon Schottky Diode 2007-09-19
Diodes Incorporated	BAS70	107Kb/4P	Low Turn-on Voltage Rev 22
NXP Semiconductors	BAS70	224Kb/20P	General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Rev. 09-13 January 2010
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	113Kb/2P	200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode
NXP Semiconductors	BAS70	224Kb/20P	General-purpose Schottky diodes Rev. 09-13 January 2010
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAS70	137Kb/1P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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Breve descripción de BAS70

BAS70 es un diodo de conmutación de alta velocidad que se usa comúnmente en circuitos electrónicos. Es un dispositivo de montaje en superficie con tres cables y consta de dos diodos conectados en una configuración de ánodo común.

El diodo BAS70 se caracteriza por su velocidad de conmutación rápida, baja caída de voltaje hacia adelante y baja corriente de fuga inversa. Su caída máxima de voltaje hacia adelante es típicamente alrededor de 0.6V, y su calificación de voltaje inverso máximo es típicamente alrededor de 70 V. El BAS70 está diseñado para operar en una amplia gama de temperaturas, lo que lo hace adecuado para su uso en entornos hostiles.

Una de las aplicaciones principales del BAS70 es en circuitos digitales, donde se utiliza para conmutación rápida y rectificación. También se usa en circuitos de radiofrecuencia (RF), donde se usa para la detección y mezcla de señales. Además, el BAS70 se usa en circuitos de regulación de voltaje, donde se usa para proteger los componentes sensibles de los picos de voltaje y los transitorios.

equivalente para BAS70

BAS70 es un diodo de montaje de superficie dual que consta de un diodo de barrera Schottky y un diodo de conmutación. Se usa comúnmente en aplicaciones de baja potencia, como la conmutación de señales y la rectificación.

Un posible reemplazo para BAS70 es el BAV70, que también es un diodo dual que consiste en un diodo de barrera Schottky y un diodo de conmutación. El BAV70 tiene características eléctricas similares al BAS70 y viene en el mismo paquete SOT-23. Otras alternativas incluyen los BAT54 y el BAW56, que también son diodos duales con barrera de Schottky y cambiando diodos en un paquete SOT-23 común.

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