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Fabricante Electrónico

BC517 Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
ON Semiconductor	BC517	148Kb/6P	Darlington Transistors(NPN Silicon) 1996
NXP Semiconductors	BC517	43Kb/8P	NPN Darlington transistor 1999 Apr 23
ON Semiconductor	BC517	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC517	79Kb/1P	NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517	82Kb/6P	Darlington Transistors March, 2007 ??Rev. 4
	BC517	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
	BC517	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Motorola, Inc	BC517	206Kb/6P	Darlington Transistors
Siemens Semiconductor G...	BC517	138Kb/4P	NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
KEC(Korea Electronics)	BC517	181Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
Micro Electronics	BC517	68Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	29Kb/3P	NPN Darlington Transistor
KEC(Korea Electronics)	BC517	31Kb/1P	TO-92 PACKAGE
KEC(Korea Electronics)	BC517	40Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	32Kb/3P	NPN Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517-D74Z	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
ON Semiconductor	BC517-D74Z	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Cystech Electonics Corp...	BC517A3	270Kb/6P	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC517G	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
ON Semiconductor	BC517RL1	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3

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Breve descripción de BC517

El BC517 es un transistor de unión bipolar PNP de uso general (BJT) comúnmente utilizado para aplicaciones de amplificación y conmutación de baja potencia. Estas son las características y especificaciones clave del BC517:

Tipo de transistor: el BC517 es un transistor de unión bipolar PNP (BJT), lo que significa que consta de tres capas semiconductores: n-dopadas (base), dopadas P (emisor) y n-doped (colector).

Amplificación de baja potencia: el BC517 se usa típicamente para aplicaciones de amplificación de baja potencia donde se requiere una amplificación de señal pequeña.

Configuración de PNP: al ser un transistor PNP, el BC517 funciona con un voltaje positivo en la base en relación con el emisor para el funcionamiento normal.

Voltaje de bajo emisor de colector (VCEO): el voltaje máximo de emisor de colector (VCEO) del BC517 es típicamente alrededor de -30 voltios, lo que indica su idoneidad para aplicaciones de bajo voltaje.

Ganancia de alta corriente (HFE): el BC517 generalmente tiene una alta ganancia de corriente de CC (HFE), lo que permite una amplificación eficiente de pequeñas señales de entrada.

Disipación de potencia media: el BC517 está diseñado para manejar los niveles de potencia media, lo que lo hace adecuado para aplicaciones donde se requiere una amplificación de potencia moderada.

Paquete TO-92: está comúnmente disponible en un paquete TO-92, que ofrece un montaje fácil en una placa de circuito impreso (PCB) y un buen rendimiento térmico para aplicaciones de baja potencia.

Aplicación: El BC517 se usa comúnmente en circuitos de amplificador de baja potencia, circuitos de conmutación de señal, controladores LED, controladores de retransmisión y otras aplicaciones donde se necesita una amplificación o conmutación de señal pequeña.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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