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Fabricante Electrónico

BS170 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "BS170" - Total : 55 ( 1/3 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
NXP Semiconductors	BS170	49Kb/8P	N-channel vertical D-MOS transistor April 1995
Vishay Siliconix	BS170	51Kb/5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
ON Semiconductor	BS170	1Mb/16P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor March 2010 Rev. E2
Vishay Siliconix	BS170	68Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Diodes Incorporated	BS170	66Kb/2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR DS21802 Rev. D-3
General Semiconductor	BS170	233Kb/5P	DMOS Transistors (N-Channel)
ON Semiconductor	BS170	52Kb/4P	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET April, 2004 ??Rev. 4
ON Semiconductor	BS170	57Kb/4P	Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N?묬hannel TO??2 (TO??26) August, 2005 ??Rev. 5
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Fairchild Semiconductor	BS170	517Kb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	BS170	75Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Motorola, Inc	BS170	77Kb/4P	TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)
SYC Electronica	BS170	1Mb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Siemens Semiconductor G...	BS170	77Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Diodes Incorporated	BS170F	26Kb/1P	60Volt VDS JANUARY 1996
List of Unclassifed Man...	BS170F	23Kb/1P	SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Diodes Incorporated	BS170FTA	29Kb/1P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET JANUARY 1996
VBsemi Electronics Co.,...	BS170FTA	1Mb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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Breve descripción de BS170

El BS170 es un MOSFET de canal N en modo de mejora de pequeña señal, ampliamente utilizado en conmutación de baja potencia, amplificación de señales e interfaz digital. Fabricado por varias empresas de semiconductores, como ON Semiconductor y Fairchild, el BS170 es popular entre aficionados e ingenieros por su simplicidad, asequibilidad y versatilidad tanto en circuitos analógicos como digitales.

El BS170 está diseñado para una tensión drenador-fuente (V_DS) de 60 V y puede manejar corrientes de drenador continuas de hasta 500 mA, lo que lo hace ideal para conmutar cargas pequeñas como LED, relés y motores de baja potencia. Presenta una tensión de umbral de puerta baja, típicamente de entre 2 V y 3 V, lo que le permite ser controlado directamente por señales de nivel lógico de microcontroladores como Arduino o Raspberry Pi. La resistencia de encendido (R_DS(on)) es lo suficientemente baja como para minimizar las caídas de tensión y las pérdidas de potencia en aplicaciones de baja corriente.

Encapsulado en un encapsulado compacto TO-92 de orificio pasante, el BS170 es fácil de integrar en placas de pruebas y prototipos. Se utiliza comúnmente en circuitos que requieren alta velocidad de conmutación, baja corriente de activación de puerta y tamaño compacto, incluyendo variadores de nivel, salidas digitales y circuitos sencillos de control de potencia.

En resumen, el BS170 es un MOSFET de pequeña señal fiable y versátil que ofrece una solución rentable para tareas de conmutación y procesamiento de señales de bajo consumo en una amplia variedad de proyectos electrónicos.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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