BSS84 Datasheet, PDF - Datasheet Search Engine

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End	BSS84(3) MBSS84(1) *EBSS84(1)
Incluido	BSS84(22) BSS84-(1) BSS840(2) BSS84D(2) BSS84E(2) BSS84L(10) BSS84W(3)

Fabricante Electrónico

BSS84 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "BSS84" - Total : 209 ( 1/11 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	BSS84	89Kb/12P	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1997 Jun 18
Taiwan Semiconductor Co...	BSS84	397Kb/6P	P-Channel Power MOSFET Version: A2007
ON Semiconductor	BSS84	196Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor October, 2021 ??Rev. 5
Diodes Incorporated	BSS84	289Kb/6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 22
	BSS84	48Kb/2P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 5 - 2
	BSS84	106Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 14 - 2 February 2010
NXP Semiconductors	BSS84	70Kb/11P	P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor Rev. 06-16 December 2008
Diodes Incorporated	BSS84	103Kb/3P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 11 - 2
Pan Jit International I...	BSS84	139Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Weitron Technology	BSS84	127Kb/4P	Small Signal MOSFET P-Channel
Fairchild Semiconductor	BSS84	285Kb/10P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guilin Strong Micro-Ele...	BSS84	303Kb/3P	SOT-23 Field Effect Transistors
Fairchild Semiconductor	BSS84	247Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Nanjing International G...	BSS84	792Kb/5P	Energy Efficient
Bruckewell Technology L...	BSS84	328Kb/4P	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
ZP Semiconductor	BSS84	372Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Shanghai Shunye Electro...	BSS84	1Mb/3P	MOSFET(P-Channel) V2.22
Siemens Semiconductor G...	BSS84	73Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Chino-Excel Technology	BSS84	468Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Micro Commercial Compon...	BSS84	807Kb/4P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Breve descripción de BSS84

El BSS84 es una designación parcial que típicamente se usa para un MOSFET de canal N de señal pequeña (transistor de efecto de campo de óxido de metal-óxido-semiconductor). Los MOSFET se usan comúnmente como interruptores o amplificadores en varias aplicaciones electrónicas.

Aquí hay algunas especificaciones generales para el BSS84 MOSFET:

Voltaje máximo de fuga de drenaje (VDS): típicamente alrededor de 50 voltios
Corriente de drenaje máximo (ID): típicamente alrededor de 130 miliamperios
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): típicamente alrededor de ± 20 voltios
Voltaje umbral (VGS (TH)): típicamente alrededor de 0.7 a 3.0 voltios
La fuente de drenaje en resistencia (RDS (ON)): típicamente alrededor de 10 ohmios
Tipo de paquete: típicamente SOT-23 (un pequeño paquete de montaje en superficie)
El BSS84 MOSFET se usa comúnmente en aplicaciones de conmutación de baja potencia, como en electrónica portátil, amplificadores de señales pequeñas y circuitos de uso general.

equivalente para BSS84

Un reemplazo adecuado para el transistor MOSFET BSS84 P-Canal es el BSP84.

El BSP84 también es un transistor MOSFET de canal P con características similares y puede usarse como reemplazo para el BSS84. Se usa comúnmente en aplicaciones de conmutación de baja potencia y amplificación en circuitos electrónicos.

Aquí hay algunas similitudes clave entre los transistores BSS84 y BSP84:

Voltaje de fuente de drenaje (VDS): el BSP84 generalmente tiene una clasificación de voltaje de fuente máxima de drenaje similar al BSS84.

Corriente de drenaje continuo (ID): el BSP84 generalmente tiene una clasificación de corriente de drenaje continuo máximo comparable como el BSS84.

Disipación de potencia total (PD): la capacidad de disipación de potencia del BSP84 suele ser similar a la del BSS84.

Voltaje de umbral de fuente de puerta (VGS (TH)): el voltaje de umbral de fuente de puerta del BSP84 está típicamente dentro de un rango similar al de BSS84.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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