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Fabricante Electrónico

IRF3710 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF3710" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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Breve descripción de IRF3710

El IRF3710 es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia, tanto en electrónica de consumo como industrial. Fabricado por International Rectifier (ahora parte de Infineon Technologies), el IRF3710 se utiliza habitualmente en variadores de frecuencia, convertidores CC-CC, fuentes de alimentación, inversores y otros sistemas de gestión de energía de alta eficiencia.

Este dispositivo está clasificado para una tensión drenador-fuente (V_DS) de 100 V y puede gestionar hasta 57 A de corriente de drenador continua con una disipación de calor adecuada. Presenta una resistencia de encendido (R_DS(on)) muy baja, de aproximadamente 0,02 ohmios, lo que reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia general en aplicaciones de conmutación. Su alta velocidad de conmutación y baja carga de compuerta lo hacen ideal para la conversión de potencia de alta frecuencia y el control PWM.

Encapsulado en una carcasa estándar TO-220, el IRF3710 ofrece un excelente rendimiento térmico y es fácil de integrar en diseños de PCB de orificio pasante. Requiere una tensión de control de puerta de aproximadamente 10 V para una mejora completa, lo que lo hace compatible con la mayoría de los circuitos integrados de controladores MOSFET y circuitos de control de nivel lógico (con la interfaz adecuada).

En resumen, el IRF3710 es un MOSFET de canal N robusto, eficiente y ampliamente utilizado que ofrece una solución fiable para aplicaciones de conmutación de potencia media a alta donde las bajas pérdidas y la velocidad de operación son cruciales.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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