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Fabricante Electrónico

IRF510 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF510" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

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Breve descripción de IRF510

El IRF510 es un transistor MOSFET de canal N ampliamente utilizado. Los MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal) son un tipo de transistor que se utiliza para amplificar o cambiar las señales electrónicas en varios dispositivos, desde pequeños electrónicos hasta sistemas eléctricos a gran escala.

El IRF510, en particular, es conocido por su facilidad de impulso, capacidad de manejo de corriente relativamente alta y eficiencia. A menudo se utiliza en aplicaciones como el cambio de alimentación, controles de motores, inversores, helicópteros, amplificadores de audio y controladores de alta velocidad.

Estas son algunas de las características clave del IRF510 MOSFET:

VDSS (voltaje de desglose de fuente de drenaje): puede manejar un voltaje máximo de fuente de drenaje, generalmente alrededor de 100 V, lo que significa que se puede usar en circuitos con requisitos de alto voltaje.

ID (corriente de drenaje continuo): esto especifica la cantidad de corriente que puede fluir a través del drenaje continuamente, con el IRF510 generalmente clasificado alrededor de 5.6a.

RDS (ON) (resistencia a la fuente de drenaje): esta es la resistencia entre el drenaje y la fuente cuando el transistor está encendido. Para el IRF510, esto es típicamente bastante bajo, lo que lo hace eficiente en términos de disipación de potencia.

VGS (TH) (Voltaje de umbral de puerta): Este es el voltaje al que el MOSFET comienza a encenderse. Para el IRF510, el voltaje del umbral de la puerta es típicamente alrededor de 2V a 4V.

Disipación de potencia: la potencia máxima que el IRF510 puede manejar sin exceder su temperatura máxima de unión es típicamente de alrededor de 43 vatios, lo cual es adecuado para muchas aplicaciones.

Configuraciones: está disponible en un paquete TO20 que es adecuado para el montaje de los orificios, lo que hace que sea fácil de usar en creación de prototipos y producción.

Temperatura de funcionamiento: generalmente funciona dentro de un rango de temperatura de -55 ° C a +175 ° C, proporcionando un buen rango para varios entornos.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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