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Fabricante Electrónico

IRF540 Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	IRF540	86Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF540	53Kb/6P	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET Apr-1998
STMicroelectronics	IRF540	311Kb/8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003
Vishay Siliconix	IRF540	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF540	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF540	156Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb/6P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF540	338Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	984Kb/3P	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	103Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
First Silicon Co., Ltd	IRF540	1Mb/4P	N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
SYC Electronica	IRF540	259Kb/7P	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540	308Kb/2P	N-Channel Power MOSFET
Nanjing International G...	IRF540	2Mb/7P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF540	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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Breve descripción de IRF540

El IRF540 es un popular MOSFET de potencia (transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor) utilizado en circuitos electrónicos para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia. Es parte de la serie IRF de MOSFET de potencia y es conocido por su capacidad para manejar corrientes y voltajes relativamente altos. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del IRF540 MOSFET:

Polaridad: N-canal.

El IRF540 es un MOSFET de canal N, lo que significa que utiliza el flujo de electrones para cambiar y controlar la corriente eléctrica.
Voltaje de fuente de drenaje (VDS): típicamente clasificado a 100 V.

El voltaje máximo que se puede aplicar entre el drenaje y los terminales de la fuente cuando el MOSFET está en el estado fuera del estado.
Corriente de drenaje continuo (ID): típicamente clasificado a 33a.

La corriente máxima que el MOSFET puede manejar continuamente en el estado ON.
En resistencia (RDS (ON): típicamente baja, a menudo en el rango de Milliohm.

La resistencia entre el drenaje y los terminales de la fuente cuando el MOSFET está completamente encendido.
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): típicamente alrededor de 2V a 4V.

El voltaje requerido para encender el MOSFET.
Voltaje de fuente de puerta (VGS): generalmente clasificado hasta ± 20V.

El voltaje máximo que se puede aplicar entre la puerta y los terminales de fuente.
Paquete: el IRF540 generalmente está disponible en paquetes TO20 o TO20B, que proporcionan un buen rendimiento térmico y facilidad de montaje a los disipadores de calor para el enfriamiento.

Aplicaciones: El IRF540 MOSFET se usa comúnmente en aplicaciones de alta potencia, como alimentantes de conmutación, circuitos de control del motor, etapas de salida del amplificador y otras aplicaciones que requieren conmutación de alta corriente.

Disipación de calor: el IRF540 puede generar calor durante la operación, por lo que puede ser necesario un manejo térmico adecuado, incluido el consumo de calor, para aplicaciones de alta potencia.

Calificación de energía de avalancha: el IRF540 tiene una calificación de energía de avalancha, que especifica la cantidad de energía que el MOSFET puede absorber de manera segura durante los picos de voltaje transitorios.

equivalente para IRF540

El IRF540 es un MOSFET de canal N comúnmente utilizado para aplicaciones de conmutación de alta corriente, que presenta un voltaje máximo de fuente de drenaje de 100 V y una corriente de drenaje continua de 28 A. Varios MOSFET ofrecen características similares y pueden servir como reemplazos:

IRF540N:

Una versión mejorada del IRF540 que ofrece un rendimiento mejorado.
Tensión máxima drenaje-fuente: 100V.
Corriente de drenaje continuo: 33A.
Menor resistencia, lo que resulta en una mayor eficiencia.
IRFZ44N:

MOSFET de canal N con clasificaciones de voltaje y corriente comparables.
Tensión máxima drenaje-fuente: 55V.
Corriente de drenaje continuo: 49A.
Clasificación de voltaje más bajo; garantizar la compatibilidad con su aplicación.
IRLZ44N:

MOSFET de canal N de nivel lógico adecuado para accionamiento de puerta de bajo voltaje.
Tensión máxima drenaje-fuente: 55V.
Corriente de drenaje continuo: 47A.
Ideal para interactuar con microcontroladores.
STP55NF06:

MOSFET de canal N con especificaciones similares.
Tensión máxima drenaje-fuente: 60V.
Corriente de drenaje continuo: 50A.
Adecuado para diversas aplicaciones de conmutación.
BUZ11:

MOSFET de canal N con clasificaciones comparables.
Tensión máxima drenaje-fuente: 50V.
Corriente de drenaje continuo: 30A.
Comúnmente utilizado en aplicaciones automotrices.
Al seleccionar un reemplazo, considere los siguientes factores:

Clasificaciones de voltaje y corriente: asegúrese de que el MOSFET sustituto pueda manejar los niveles de voltaje y corriente requeridos en su circuito.
Resistencia activa (R_DS(on)): una menor resistencia activa da como resultado una mayor eficiencia y una menor generación de calor.
Voltaje de umbral de puerta: verifique que el voltaje del controlador de puerta en su diseño sea suficiente para encender completamente el MOSFET.
Tipo de paquete y configuración de pines: confirme que el paquete físico y la distribución de pines sean compatibles con el diseño de su circuito.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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