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Fabricante Electrónico

IRF540N Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF540N" - Total : 32 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	IRF540N	126Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
International Rectifier	IRF540N	99Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540N	734Kb/8P	Advanced Process Technology
Fairchild Semiconductor	IRF540N	138Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET
Multicomp Pro	IRF540N	1Mb/5P	N Channel MOSFET 05/08/24 V1.0
Inchange Semiconductor ...	IRF540N	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF540N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF540NL	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
International Rectifier	IRF540NL	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540NL	1Mb/10P	Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF540NL	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF540NLPBF	284Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NPBF	149Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
VBsemi Electronics Co.,...	IRF540NPBF	984Kb/7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF540NS	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET

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Breve descripción de IRF540N

El IRF540N es un popular MOSFET de potencia N-canal (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) conocido por su uso en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, particularmente en circuitos de conmutación de alta potencia y amplificación. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del IRF540N MOSFET:

MOSFET de canal N: el IRF540N es un MOSFET de canal N, lo que significa que conduce la corriente cuando se aplica un voltaje positivo al terminal de la puerta en relación con el terminal de origen.

Calificación de voltaje: el IRF540N generalmente tiene una calificación de alto voltaje, a menudo alrededor de 100V a 1000V, dependiendo del modelo y el fabricante específico.

Calificación actual: es capaz de manejar una corriente de drenaje continuo relativamente alta, típicamente en el rango de 22A a 33A, dependiendo del modelo.

RESISTENCIA EN LA RESISTENCIA (RDS (ON)): la resistencia en la resistencia, a menudo denotada como RDS (ON), es típicamente baja, lo que significa que el MOSFET tiene una caída de voltaje mínima cuando está en el estado conductor. Esto da como resultado un manejo eficiente de potencia.

Voltaje umbral de la puerta (VGS (TH)): el voltaje del umbral de la puerta es el voltaje requerido para encender el MOSFET. Para el IRF540N, esto es típicamente alrededor de 2V a 4V.

Paquete: el IRF540N está comúnmente disponible en paquetes TO20 o TO20B, que proporcionan un buen rendimiento térmico y facilitan el montaje a los disipadores de calor para el enfriamiento.

Aplicaciones: El IRF540N se utiliza en varias aplicaciones, incluidos amplificadores de potencia, control del motor, alimentación de conmutación, unidades de motor y otros circuitos electrónicos de alta potencia.

Disipación de calor: los MOSFET como el IRF540N pueden generar calor durante la operación, especialmente cuando se manejan corrientes altas, por lo que puede ser necesario una gestión adecuada del calor, incluida la prueba de calor, para las aplicaciones de alta potencia.

Características de protección: algunas variantes del IRF540N pueden incluir características de protección incorporadas, como la protección contra sobrecorriente y sobretemperatura.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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