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Fabricante Electrónico

IRF640N Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF640N" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF640N	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640N	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640N	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640N	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	201Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	338Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NL	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640NL	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640NL	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NL	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NL	1Mb/11P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640NL	288Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NLPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NLPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF640NPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology

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Breve descripción de IRF640N

El IRF640N es un MOSFET de potencia de canal N (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) diseñado para conmutación de alta velocidad y gestión eficiente de la potencia en una amplia gama de circuitos electrónicos. Fabricado por International Rectifier (ahora parte de Infineon Technologies), el IRF640N se utiliza ampliamente en aplicaciones como fuentes de alimentación, controladores de motores, convertidores CC-CC e inversores.

Este MOSFET es capaz de gestionar altas tensiones y corrientes, con una tensión drenador-fuente (VDS) de 200 V, una corriente de drenador continua (ID) de hasta 18 A y una baja resistencia de encendido (RDS(on)) de aproximadamente 0,18 ohmios, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia media a alta. También presenta una alta velocidad de conmutación y una baja carga de puerta, lo que permite un funcionamiento eficiente a alta frecuencia.

El IRF640N se presenta generalmente en formato TO-220, lo que proporciona un buen rendimiento térmico y facilita la disipación del calor al montarse en placas de circuito impreso (PCB). Se utiliza a menudo en circuitos que requieren un control y una conmutación de potencia eficientes, especialmente en entornos con alta tensión y demandas de corriente moderadas.

En resumen, el IRF640N es un MOSFET de potencia duradero y fiable que ofrece un excelente rendimiento para tareas de conmutación y amplificación en electrónica industrial y de consumo.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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