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Fabricante Electrónico


IRF9530 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF9530" - Total : 56 ( 1/3 Page)
Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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Samsung semiconductor
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
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P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
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IRF9530 VISHAY-IRF9530 Datasheet
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Intersil Corporation
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12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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isc P-Channel Mosfet Transistor
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SYC Electronica
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Guangdong Kexin Industr...
IRF9530 KEXIN-IRF9530 Datasheet
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IRF9530 ETC2-IRF9530 Datasheet
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Seme LAB
IRF9530-220M SEME-LAB-IRF9530-220M Datasheet
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
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IRF9530N IRF-IRF9530N Datasheet
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
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IRF9530NLPBF IRF-IRF9530NLPBF Datasheet
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HEXFET짰 Power MOSFET

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Breve descripción de IRF9530


El IRF9530 es un MOSFET de canal P, que es un tipo de transistor utilizado para amplificar o cambiar señales electrónicas. A diferencia de sus contrapartes del canal N, la corriente fuente de MOSFETS P-canal cuando el voltaje aplicado a la puerta es menor que el voltaje de fuente (voltaje negativo de la puerta de la puerta para dispositivos de modo de mejora). Se usan comúnmente en aplicaciones donde la conmutación de carga está controlada por la tierra o el lado negativo del circuito.

Las características clave del IRF9530 incluyen:

VDSS (voltaje de descomposición de la fuente de drenaje): este es el voltaje máximo que se puede aplicar desde el drenaje a la fuente con la puerta corta a la fuente, que para el IRF9530 es típicamente alrededor de -100V.

ID (corriente de drenaje continuo): el IRF9530 puede manejar una cantidad significativa de corriente continua, a menudo clasificada en alrededor de -12a, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta corriente.

RDS (ON) (resistencia a la fuente de drenaje): la resistencia en el estado entre el drenaje y la fuente cuando se enciende el MOSFET; Para el IRF9530, esto es relativamente bajo, lo que ayuda a reducir las pérdidas de energía.

VGS (TH) (Voltaje de umbral de puerta): el voltaje al que el MOSFET comienza a activarse, que para dispositivos de canal P como el IRF9530 es un voltaje negativo, generalmente alrededor de -2V a -4V.

Disipación de potencia: la cantidad máxima de potencia que el IRF9530 puede disiparse es importante para comprender las limitaciones térmicas, y generalmente es de alrededor de 48W.

Paquete: está disponible en 220 y paquetes similares que se usan comúnmente para dispositivos de alimentación.

Temperatura de funcionamiento: el rango de temperatura de funcionamiento es un factor para la estabilidad y la confiabilidad, y para el IRF9530, generalmente es entre -55 ° C y +150 ° C.

Los MOSFET del canal P como el IRF9530 son útiles para crear circuitos de accionamiento más simples, especialmente en configuraciones de conmutación de lado alto, ya que no requieren una bomba de carga u otros circuitos de accionamiento complejo para aplicar un voltaje positivo de fuente de puerta. Son comunes en los circuitos de gestión de energía, controles de motor y otras aplicaciones de cambio de energía.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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