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Fabricante Electrónico

IRFP250 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRFP250" - Total : 44 ( 1/3 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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Breve descripción de IRFP250

El IRFP250 es un MOSFET de canal N de alta potencia diseñado para conmutación y amplificación en aplicaciones de electrónica de potencia como inversores, fuentes de alimentación, controladores de motores y amplificadores de audio. Originalmente fabricado por International Rectifier (ahora parte de Infineon Technologies), el IRFP250 destaca por su capacidad de manejo de alto voltaje, robusta capacidad de corriente y baja resistencia de encendido, lo que lo hace ideal para sistemas de potencia media a alta.

Este MOSFET está clasificado para una tensión drenador-fuente (V_DS) de 200 V y puede manejar corrientes de drenador continuas de hasta 30 A, con una disipación de potencia máxima de aproximadamente 200 W con un disipador térmico adecuado. Presenta una R_DS(on) relativamente baja (normalmente alrededor de 0,085 Ω) y una tensión umbral de puerta de 2,0 a 4,0 V, lo que le permite funcionar eficientemente con controladores de puerta estándar. Aunque no es un MOSFET de nivel lógico, es ideal para señales de control de compuerta de 10 V, comúnmente utilizadas en circuitos de conmutación de potencia.

Construido en una carcasa TO-247, el IRFP250 ofrece un excelente rendimiento térmico y está diseñado para su montaje en disipadores térmicos y gestionar el calor generado durante las operaciones de conmutación de alta corriente.

En resumen, el IRFP250 es un MOSFET de potencia robusto y fiable que ofrece un rendimiento de conmutación eficiente y un manejo de alta corriente para una amplia gama de diseños industriales, automotrices y electrónicos de alta potencia.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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