IRFP250N Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico

IRFP250N Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Infineon Technologies A...	IRFP250N	126Kb/8P	HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	169Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250N	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	208Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250NPBF	272Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250NPBF	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

Breve descripción de IRFP250N

El IRFP250N es un MOSFET de canal N de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren alta eficiencia y conmutación rápida.

Características clave:
Tipo: MOSFET de canal N.
Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 200V.
Corriente de drenaje continuo (Id): 30A.
Disipación de energía: 214W.
Rds(encendido): 0,075 ohmios.
Aplicaciones comunes:
Fuentes de alimentación: Se utilizan en fuentes de alimentación conmutadas de alto voltaje.
Accionamientos de motor: Adecuados para accionar motores de alta potencia.
Amplificadores de audio: A menudo se utilizan en etapas de amplificadores de audio de alto rendimiento.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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