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Fabricante Electrónico

IRFP450 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRFP450" - Total : 37 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
STMicroelectronics	IRFP450	90Kb/8P	N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Samsung semiconductor	IRFP450	212Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRFP450	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450	883Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
Intersil Corporation	IRFP450	55Kb/7P	14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRFP450	169Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
IXYS Corporation	IRFP450	46Kb/2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
New Jersey Semi-Conduct...	IRFP450	841Kb/3P	N - CHANNEL 500V - 0.33Q - 14A - TO-247 PowerMESH??MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP450	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP450	410Kb/7P	N-CHANNEL PowerMESH MOSFET
SYC Electronica	IRFP450	137Kb/6P	14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRFP450	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Vishay Siliconix	IRFP450A	315Kb/9P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450A	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
International Rectifier	IRFP450A	101Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.40ohm, Id=14A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP450A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFP450APBF	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
International Rectifier	IRFP450APBF	194Kb/8P	HEXFET짰Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFP450A	315Kb/9P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450A	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022

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Breve descripción de IRFP450

El IRFP450 es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de energía de alta tensión y alta velocidad, como convertidores y fuentes de alimentación de modo conmutado. Fabricado por International Rectifier, ahora parte de Infineon Technologies, este MOSFET es conocido por su alta eficiencia y confiabilidad.

Características clave:
Tipo: MOSFET de canal N.
Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 500V.
Corriente de drenaje continuo (Id): 14A.
Disipación de energía: 190W.
Rds(encendido): 0,4 ohmios.
Aplicaciones comunes:
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS): Se utilizan para una conversión de energía eficiente.
Inversores de alta potencia: adecuados para aplicaciones que requieren capacidades de manejo de corriente y alto voltaje.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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