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Fabricante Electrónico

IRFZ44 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRFZ44" - Total : 148 ( 1/8 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	IRFZ44	64Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Samsung semiconductor	IRFZ44	197Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRFZ44	1Mb/8P	Power MOSFET 07-Jul-08
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	792Kb/9P	Power MOSFET 25-Oct-2021
International Rectifier	IRFZ44	100Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44	665Kb/2P	Advanced Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44	912Kb/3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44	600Kb/2P	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44	442Kb/2P	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFZ44	847Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
List of Unclassifed Man...	IRFZ44	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44CN	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ44E	96Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44E	393Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ44EL	163Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
International Rectifier	IRFZ44EL	174Kb/11P	Advanced Process Technology

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Breve descripción de IRFZ44

El IRFZ44 es un MOSFET de potencia N de canal N ampliamente utilizado (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) conocido por su uso en varias aplicaciones electrónicas, particularmente en circuitos de conmutación y amplificación de alta potencia. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del IRFZ44 MOSFET:

MOSFET de canal N: el IRFZ44 es un MOSFET de canal N, lo que significa que conduce la corriente cuando se aplica un voltaje positivo al terminal de la puerta en relación con el terminal de origen.

Calificación de voltaje: el IRFZ44 generalmente tiene una clasificación de voltaje de alrededor de 50 V a 60 V, lo que indica el voltaje máximo que puede soportar entre el drenaje y los terminales de fuente.

Calificación actual: es capaz de manejar una alta corriente de drenaje continuo, típicamente en el rango de 41a a 49a, dependiendo del modelo específico.

RESISTENCIA EN INTERENCIA (RDS (ON)): la resistencia en la resistencia, a menudo denotada como RDS (ON), es relativamente baja, lo que significa que el MOSFET tiene una caída de voltaje mínima cuando está en el estado conductor. Esto da como resultado un manejo eficiente de potencia.

Voltaje umbral de la puerta (VGS (TH)): el voltaje del umbral de la puerta es el voltaje requerido para activar el MOSFET. Para el IRFZ44, esto es típicamente alrededor de 2V a 4V.

Paquete: el IRFZ44 está comúnmente disponible en un paquete TO20 o TO20AB, que proporciona un buen rendimiento térmico y facilita el montaje a los disipadores de calor para el enfriamiento.

Aplicaciones: El IRFZ44 MOSFET se usa en una amplia gama de aplicaciones, incluidos amplificadores de potencia, control de motor, alimentación de conmutación, unidades de motor y otros circuitos electrónicos de alta potencia.

Disipación de calor: los MOSFET como el IRFZ44 pueden generar calor durante la operación, especialmente cuando se manejan corrientes altas, por lo que puede ser necesario una gestión adecuada del calor, incluida la prueba de calor, para las aplicaciones de alta potencia.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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