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Fabricante Electrónico

SS52F Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "SS52F" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Dongguan City Niuhang E...	SS52F	321Kb/3P	SCHOTTKY RECTIFIERS
Shanghai Shunye Electro...	SS52F	508Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BA R RIER RECTIFIER V2.22
TECH PUBLIC Electronics...	SS52F	1Mb/3P	SCHOTTKY RECTIFIERS
TECH PUBLIC Electronics...	SS52F	1Mb/3P	SCHOTTKY RECTIFIERS
Nanjing International G...	SS52F	1Mb/2P	5.0 AMP SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Dc Components	SS52F	82Kb/2P	RECTIFIER SPECIALISTS
SAMYANG ELECTRONICS CO....	SS52F	1Mb/3P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Xian Semipower Electron...	SS52F	121Kb/3P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Rectron Semiconductor	SS52F	87Kb/4P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage
Nantong Hornby Electron...	SS52F	240Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Zibo Seno Electronic En...	SS52F	129Kb/2P	5.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Gaomi Xinghe Electronic...	SS52F	452Kb/2P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Galaxy Semi-Conductor H...	SS52F	447Kb/4P	Schottky Barrier Rectifiers
Shenzhen Yixinwei Techn...	SS52F	184Kb/2P	Surface Mount Schottky Rectifiers
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS52F	418Kb/3P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Microdiode Semiconducto...	SS52F	785Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Guangdong Juxing Electr...	SS52F	801Kb/2P	Surface Mount Schottky Rectifiers
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS52F	469Kb/3P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
SHIKUES Electronics	SS52F	542Kb/3P	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Shanghai Leiditech Elec...	SS52F	742Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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Breve descripción de SS52F

El SS52F es un modelo específico de un diodo de rectificador de barrera Schottky. Los diodos Schottky son dispositivos semiconductores conocidos por su rápida velocidad de conmutación y baja caída de voltaje hacia adelante. El SS52F está diseñado para aplicaciones de rectificación de uso general y se usa comúnmente en varios circuitos electrónicos.

Estas son las especificaciones clave del diodo SS52F:

Tipo de diodo: rectificador de barrera de Schottky diodo
Corriente continua máxima continua (IF): 5a
Corriente de sobretensión de avance pico (IFSM): 125a (8.3 ms de media onda)
Voltaje inverso máximo (VR): 20V
Caída de voltaje hacia adelante (VF): típicamente alrededor de 0.45V a 5a
Corriente de fuga inversa (IR): típicamente menos de 0.5μA en el voltaje nominal

El diodo SS52F está diseñado para una rectificación de alta velocidad y puede manejar una corriente de avance máxima de 5A. Tiene una baja caída de voltaje hacia adelante, lo que ayuda a minimizar las pérdidas de energía en los circuitos. El diodo se usa comúnmente en aplicaciones como fuentes de alimentación, sujeción de voltaje y protección de polaridad inversa.

equivalente para SS52F

El SS52F es un tipo específico de diodo Schottky comúnmente utilizado en aplicaciones de baja potencia. Si bien un reemplazo exacto con el mismo número de pieza puede no estar fácilmente disponible, existen opciones alternativas que pueden considerarse. Aquí hay algunos reemplazos potenciales para el diodo SS52F:

BAT54S: El BAT54S es un diodo Schottky con una corriente máxima hacia adelante de 0.2a y un voltaje inverso máximo de 30 V. Tiene características eléctricas similares al SS52F y puede usarse como reemplazo en muchas aplicaciones de baja potencia.

1N5819: El 1N5819 es un diodo Schottky con una corriente directa máxima de 1A y un voltaje inverso máximo de 40V. Si bien tiene capacidades de manejo de corriente más altas y una clasificación de voltaje inverso más alto, aún puede considerarse como un reemplazo según los requisitos de circuito específicos.

BAW56: El BAW56 es un diodo de conmutación de doble serie con una corriente directa máxima de 0.2a y un voltaje inverso máximo de 75 V. Contiene dos diodos en un solo paquete, que puede ser útil en ciertas configuraciones de circuito.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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