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End	SS8550(3) CSS8550(1)
Incluido	SS8550(13) SS8550-(2)

Fabricante Electrónico

SS8550 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "SS8550" - Total : 80 ( 1/4 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Fairchild Semiconductor	SS8550	41Kb/4P	2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
Weitron Technology	SS8550	106Kb/4P	Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon
Shanghai Shunye Electro...	SS8550	908Kb/4P	TRANSISTOR (PNP) V2.22
Daya Electric Group Co....	SS8550	143Kb/2P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
SeCoS Halbleitertechnol...	SS8550	335Kb/2P	PNP Silicon General Purpose Transistor
TECH PUBLIC Electronics...	SS8550	2Mb/4P	PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS
Tiger Electronic Co.,Lt...	SS8550	576Kb/2P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (PNP)
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	SS8550	87Kb/2P	Complimentary to SS8050
Diode Semiconductor Kor...	SS8550	269Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Goodwork Semiconductor ...	SS8550	349Kb/3P	Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	SS8550	372Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	SS8550	1Mb/4P	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	SS8550	1Mb/5P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Rectron Semiconductor	SS8550	214Kb/3P	Small and medium-sized power amplifier, medium power drive and switching applications
Jinan Jing Heng Electro...	SS8550	1Mb/5P	PNP Plastic-Encapsulate Transistors
Dc Components	SS8550	718Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
First Silicon Co., Ltd	SS8550	576Kb/6P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Luguang Electr...	SS8550	665Kb/3P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Microdiode Semiconducto...	SS8550	1Mb/2P	TRANSISTOR(PNP)
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS8550	565Kb/3P	PNP Transistors

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Breve descripción de SS8550

El SS8550 es un tipo específico de transistor PNP de señal pequeña que se usa comúnmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Aquí hay algunas especificaciones clave del transistor SS8550:

Corriente del colector (IC): la corriente del colector máxima es típicamente alrededor de 1.5 amperios (a). Este valor indica la corriente máxima que puede fluir a través del terminal del colector del transistor cuando está completamente activado.

Voltaje del emisor de colector (VCEO): el voltaje máximo que se puede aplicar entre el colector y el terminal del emisor cuando el terminal base está circuido abierto. Típicamente es de alrededor de 25 voltios.

Disipación de potencia (PD): la potencia máxima que el transistor puede manejar sin exceder sus límites de temperatura especificados. Para el SS8550, es típicamente alrededor de 900 miliwatios (MW).

Ganancia de corriente DC (HFE): la ganancia de corriente de CC, o HFE, representa la capacidad de amplificación del transistor. Para el SS8550, generalmente varía de 120 a 320, dependiendo de las condiciones y sesgos específicos.

Frecuencia de transición (FT): la frecuencia de transición indica la frecuencia máxima a la que el transistor puede amplificar de manera efectiva las señales. Para el SS8550, generalmente varía de 100 a 300 megahercios (MHz).

equivalente para SS8550

El SS8550 es un transistor de unión bipolar PNP (BJT) que se usa comúnmente en aplicaciones de amplificación y conmutación de baja potencia. Algunos reemplazos posibles para el SS8550 incluyen:

BC556: Este es un PNP BJT con una corriente de colector máxima de 100 mA y un voltaje máximo de emisores de colector de 65V. Tiene características similares al SS8550 y está ampliamente disponible.

2N3906: Este es otro PNP BJT comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación de baja potencia. Tiene una corriente de colector máxima de 200 mA y un voltaje máximo de emisor de colección de 40V.

S9013: Este es también un PNP BJT con una corriente de colección máxima de 500 mA y un voltaje máximo de emisores de colección de 40V. Tiene características similares al SS8550 y se usa comúnmente como reemplazo.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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