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End	TIP31C(2) -TIP31C(1)
Incluido	TIP31C(1)

Fabricante Electrónico

TIP31C Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "TIP31C" - Total : 72 ( 1/4 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
ON Semiconductor	TIP31C	123Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors September, 2005 ??Rev. 10
STMicroelectronics	TIP31C	136Kb/10P	Power transistors 20-Apr-2006
ON Semiconductor	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON REV 1
Samsung semiconductor	TIP31C	220Kb/6P	NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
STMicroelectronics	TIP31C	64Kb/5P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Oct-1999
Wing Shing Computer Com...	TIP31C	61Kb/1P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Power Innovations Ltd	TIP31C	86Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Boca Semiconductor Corp...	TIP31C	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
KEC(Korea Electronics)	TIP31C	226Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
Micro Electronics	TIP31C	43Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Diotec Semiconductor	TIP31C	36Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Motorola, Inc	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Unisonic Technologies	TIP31C	56Kb/2P	NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	TIP31C	106Kb/2P	General Purpose Silicon Power Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	TIP31C	58Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	TIP31C	116Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Dc Components	TIP31C	196Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP31C	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP31C	484Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP31C	190Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors

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Breve descripción de TIP31C

El TIP31C es un transistor de unión bipolar NPN (BJT) ampliamente utilizado con aplicaciones en circuitos de amplificación y conmutación. Se emplea comúnmente en proyectos electrónicos donde se requiere una amplificación de potencia moderada o capacidades de conmutación. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del transistor TIP31C:

Tipo: El TIP31C es un BJT NPN (negativo-positivo negativo), lo que significa que está compuesto por capas de materiales semiconductores, incluidos los materiales de tipo P y de tipo N.

Amplificación: como transistor NPN, el TIP31C se puede usar para la amplificación de la señal en circuitos electrónicos. Permite una pequeña corriente de entrada para controlar una corriente de salida más grande.

Corriente del colector (IC): el TIP31C tiene una calificación de corriente de colector moderada, típicamente en el rango de unos pocos amperios. Esto representa la corriente continua máxima que puede fluir a través del terminal del colector.

Voltaje del emisor del colector (VCE): este es el voltaje máximo que se puede aplicar entre los terminales de colector y emisor sin causar descomposición.

Disipación de potencia (PD): la clasificación de disipación de potencia indica la potencia máxima que el transistor puede manejar sin exceder su temperatura máxima de unión.

Ganancia (hfe o beta): la ganancia actual, a menudo denotada como hfe o beta, representa la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada. Es un parámetro importante para aplicaciones de amplificación.

Paquete: el TIP31C está comúnmente disponible en un paquete TO20, que proporciona un buen rendimiento térmico y facilidad de montaje a un disipador de calor.

Aplicaciones: El TIP31C se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluidos amplificadores de audio, circuitos de fuente de alimentación, reguladores de voltaje y otras tareas de amplificación y conmutación de potencia media.

Velocidad de conmutación: aunque no es tan rápido como algunos transistores de señal más pequeños, el TIP31C tiene una velocidad de conmutación moderada adecuada para muchas aplicaciones de propósito general.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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