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IXBH2N250 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXBH2N250 Datasheet PDF - IXYS Corporation
No. de pieza IXBH2N250
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Fabricante Electrónico  IXYS [IXYS Corporation]
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Descripción Electrónicos Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH2N250 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH2N250 Datasheet (HTML) - IXYS Corporation


IXBH2N250 Detalles de producto

High Voltage, High Gain BIMOSFET™
Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features
● High Blocking Voltage
● Integrated Anti-parallel Diode
● International Standard Packages
● Low Conduction Losses

Advantages
● Low Gate Drive Requirement
● High Power Density

Applications
● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
● Uninterruptible Power Supplies (UPS)
● Laser Generator
● Capacitor Discharge Circuit
● AC Switches




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Sobre a IXYS Corporation


IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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