Motor de Búsqueda de Datasheet de Componentes Electrónicos
  Mexican  ▼
ALLDATASHEET.COM.MX

X  

SCT10N120AG Datasheet (PDF) - STMicroelectronics

SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza SCT10N120AG
Descarga  SCT10N120AG Descarga
Tamaño del archivo   238.62 Kbytes
Page   14 Pages
Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520(typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Descarga Datasheet
SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

No. de pieza SCT10N120AG
Descarga  SCT10N120AG Click to download

Tamaño del archivo   238.62 Kbytes
Page   14 Pages
Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520(typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


SCT10N120AG Detalles de producto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature
• Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Motor drives
• EV chargers
• High voltage DC-DC converters
• Switch mode power supplies

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative
properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per
unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s
housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industrystandard
outline with significantly improved thermal capability. These features render
the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.




Número de pieza similar - SCT10N120AG

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
Inchange Semiconductor ...
SCT10N120AG ISC-SCT10N120AG Datasheet
411Kb / 2P
N-Channel SiC MOSFET Transistor
More results


Descripción similar - SCT10N120AG

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
STMicroelectronics
SCT20N120AG STMICROELECTRONICS-SCT20N120AG Datasheet
487Kb / 13P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package
Rev 3 - October 2019
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P
Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
More results




Sobre a STMicroelectronics


STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




Enlace URL



¿ALLDATASHEET es útil para Ud.?  [ DONATE ] 

Todo acerca de Alldatasheet   |   Publicidad   |   Contáctenos   |   Política de Privacidad   |   Enlace a la hoja de datos    |   Intercambio de Enlaces   |   Lista de Fabricantes
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com