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STGD19N40LZ Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STGD19N40LZ Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza STGD19N40LZ
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

STGD19N40LZ Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

STGD19N40LZ Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STGD19N40LZ Detalles de producto

Description
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gateemitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems. DPAK 1 3 TAB C (2 or TAB) E (3) G (1) RG RGE SC30180

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH
■ ESD gate-emitter protection
■ Gate-collector high voltage clamping
■ Logic level gate drive
■ Low saturation voltage
■ High pulsed current capability
■ Gate and gate-emitter resistor

Applications
■ Pencil coil electronic ignition driver




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Sobre a STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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