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IPZA65R040CM8 Datasheet(PDF) 5 Page - Infineon Technologies AG

No. de pieza IPZA65R040CM8
Descripción Electrónicos  MOSFET 650V CoolMOS™ CM8 Power Transistor
PDF  15 Pages
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Fabricante Electrónico  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Página de inicio  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

IPZA65R040CM8 Datasheet(HTML) 5 Page - Infineon Technologies AG

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background image
650V CoolMOS™ CM8 Power Transistor
IPZA65R040CM8
Public
Datasheet
5
Revision 2.1
https://www.infineon.com
2025‑03‑07
3   Electrical characteristics
at  =25°C, unless otherwise specified
T
Table 4      Static characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test condition
Min.
Typ.
Max.
Drain‑source breakdown voltage
V
650
‑
‑
V
V =0V,  =1mA
I
Gate threshold voltage
V
3.7
4.2
4.7
V
V = ,  =0.68mA
V I
Zero gate voltage drain current
I
‑
‑
1
μA
V =650V,  =0V,  =25°C
V
T
88.9
‑
V =650V,  =0V,  =150°C
V
T
Gate‑source leakage current
I
‑
‑
0.1
μA
V =20V,  =0V
V
Drain‑source on‑state resistance
R
‑
0.033 0.040
Ω
V =10V,  =25.0A,  =25°C
I
T
0.073 ‑
V =10V,  =25.0A,  =150°C
I
T
Gate resistance
R
‑
1
‑
Ω
f=1MHz
Table 5      Dynamic characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test condition
Min.
Typ.
Max.
Input capacitance
C
‑
3796
‑
pF
V =0V,  =400V,  =250kHz
V
f
Output capacitance
C
44
Effective output capacitance, 
energy related 4)
C
‑
114
‑
pF
V =0V,  =0...400V
V
Effective output capacitance, time 
related 5)
C
‑
1247
‑
pF
I =constant,  =0V,  =0...400V
V
V
Turn‑on delay time
t
‑
22.8
‑
ns V =400V,  =13V,  =13.5A,
V
I
=5.3Ω; see table 9
R
Rise time
t
6.6
Turn‑off delay time
t
95.8
Fall time
t
5.8
    
 is a fixed capacitance that gives the same stored energy as 
 while   is rising from 0 to 400V
4) C
C
V
    
 is a fixed capacitance that gives the same charging time as 
 while   is rising from 0 to 400V
5) C
C
V
j
(BR)DSS
GS
D
(GS)th
DS
GS D
DSS
DS
GS
j
DS
GS
j
GSS
GS
DS
DS(on)
GS
D
j
GS
D
j
G
iss
GS
DS
oss
o(er)
GS
DS
o(tr)
D
GS
DS
d(on)
DD
GS
D
G
r
d(off)
f
o(er)
oss
DS
o(tr)
oss
DS



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