DAN403 (200 mW)

DAN403 (200 mW)

Small Signal Diode Arrays

Diodensätze mit Allzweckdioden

Version 2008-04-15

Dimensions - Maße [mm]

Nominal power dissipation

Nenn-Verlustleistung

200 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

80 V

9-pin Plastic case

9-Pin Kunststoffgehäuse

13 x 3.5 x 6.6 [mm]

Weight approx.

Gewicht ca.

0.8 g

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

4 independent elements – 4 einzelne Bauelemente

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

DAN403

80

80

Max. average forward rectified current, R-load

for one diode operation only

for simultaneous operation

100 mA 2)

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

für eine einzelne Diode

bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

500 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+150°C

1

Per diode – Pro Diode

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

9

1

2.54

Ø 0.5

Type

Typ

9

8

4

6 7

5

3

1 2