DAN403 (200 mW)

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage

Durchlass-Spannung

< 1.0 V 1)

Leakage current

Sperrstrom

< 25 nA

Reverse recovery time

Sperrverzug

< 4 ns

Thermal resistance junction to case

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

< 85 K/W 2)

1

Per diode – Pro Diode

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

120

100

80

60

40

20

0

[%]

I

FAV

Rated forward current versus ambient temperature )

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )

1

1

[°C]

T

A

150

100

50

0

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

V

F

[V] 1.4

1.0

0.8

0.6

0.4

0

[A]

I

F

1

T = 25°C

j

T = 125°C

j